[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200680051916.3 | 申请日： | 2006-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101336484A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 增田健良;松川真治 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁晓广;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | MOSFET(30)设置有SiC膜(11)。SiC膜(11)在其表面上具有刻面，该刻面的一个周期的长度是100nm或以上，并且该刻面被用作沟道(16)。此外，MOSFET(30)的制造方法包括：形成SiC膜(11)的步骤；在SiC膜(11)的表面上提供Si的状态下热处理SiC膜(11)的热处理步骤；以及将通过热处理步骤在SiC膜(11)的表面上获得的刻面形成为沟道(16)的步骤。由此，能够充分地提高性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件(30)，包括由碳化硅制成的半导体膜(11)，其中所述半导体膜在其表面上具有刻面(1)，并且其中所述刻面被用作沟道(16)。
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