[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件(30)，包括

由碳化硅制成的半导体膜(11)，

其中所述半导体膜在其表面上具有刻面(1)，

其中所述刻面被用作沟道(16)，并且

其中，所述半导体膜(11)还包括其表面上的沟(25a，25b)，并且邻近于所述沟形成所述刻面(1)。

2.根据权利要求1所述的半导体器件(30)，其中所述刻面(1)中的至少一个由{0001}面构成。

3.根据权利要求1所述的半导体器件(30)，其中，所述半导体膜(11)具有4H-型晶体结构，所述刻面(1)中的至少一个由{03-38}面构成。

4.根据权利要求1所述的半导体器件(30)，其中，所述半导体膜(11)具有6H-型晶体结构，所述刻面(1)中的至少一个由{01-14}面构成。

5.根据权利要求1所述的半导体器件(30)，其中所述沟道(16)被包括在构成所述刻面(1)的表面(3)中。

6.一种半导体器件(30)的制造方法，包括：

形成由碳化硅制成的半导体膜(11)的步骤；

在所述半导体膜的表面上提供有硅的状态下热处理该半导体膜的热处理步骤；和

将通过所述热处理步骤而在所述半导体膜的表面上获得的刻面(1)形成为沟道(16)的沟道形成步骤，

其中，该制造方法还包括：

在所述热处理步骤之前，在所述半导体膜(11)的表面上形成沟(25a，25b)的步骤，

其中，在所述热处理步骤中，邻近于所述沟形成所述刻面(1)。

7.根据权利要求6所述的半导体器件(30)的制造方法，还包括在所述热处理步骤之前平坦化所述半导体膜(11)的表面的步骤。

8.一种半导体器件(30)的制造方法，包括：

形成由碳化硅制成的半导体膜(11)的步骤；

在所述半导体膜的表面上提供有硅的状态下热处理该半导体膜的热处理步骤；和

将通过所述热处理步骤而在所述半导体膜的表面上获得的刻面(1)形成为沟道(16)的沟道形成步骤，

其中，所述热处理步骤还包括在所述半导体膜(11)的表面上形成由硅作为主要构成元素而制成的覆盖膜(20)的膜覆盖步骤。

9.根据权利要求8所述的半导体器件(30)的制造方法，其中所述沟道形成步骤包括氧化所述覆盖膜(20)的步骤。

10.根据权利要求8所述的半导体器件(30)的制造方法，还包括在所述热处理步骤之前平坦化所述半导体膜(11)的表面的步骤。

11.一种半导体器件(30)的制造方法，包括：

形成由碳化硅制成的半导体膜(11)的步骤；

在所述半导体膜的表面上提供有硅的状态下热处理该半导体膜的热处理步骤；和

将通过所述热处理步骤而在所述半导体膜的表面上获得的刻面(1)形成为沟道(16)的沟道形成步骤，

其中，该制造方法还包括：

将杂质注入到所述半导体膜(11)中的步骤；以及

激活该杂质的激活步骤，

其中所述热处理步骤和所述激活步骤在同一步骤中执行。

12.根据权利要求11所述的半导体器件(30)的制造方法，还包括在所述热处理步骤之前平坦化所述半导体膜(11)的表面的步骤。