[发明专利]激光退火方法以及激光退火装置有效
| 申请号： | 200680050867.1 | 申请日： | 2006-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101356624A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 西田健一郎;川上隆介;河口纪仁;正木深雪 | 申请（专利权）人： | 株式会社IHI |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及激光退火方法以及激光退火装置。在本发明中，使照射到非晶半导体膜(非晶硅等)上的矩形光束短轴方向的能量分布均匀。利用柱面透镜阵列(26)或波导(36)以及聚光光学系统(28，44)、或者利用包含衍射光学元件的光学系统，能够使矩形光束短轴方向的能量分布均匀。根据本发明，被照射到非晶半导体薄膜上的有效能量范围变宽，并且能够加速基板(3)的搬送速度，从而提高激光退火处理能力。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种激光退火方法，将从固体激光器光源射出的激光在非晶半导体膜的表面上聚光为矩形光束，一边使该矩形光束在其短轴方向相对于非晶半导体膜进行相对移动一边进行照射，使该非晶半导体膜多晶化，其特征在于，对所述非晶半导体膜照射将所述矩形光束的短轴方向的能量分布进行均匀化后的激光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
