[发明专利]加工多光子可固化光活性组合物的方法及装置有效
申请号: | 200680048295.3 | 申请日: | 2006-12-20 |
公开(公告)号: | CN101341578A | 公开(公告)日: | 2009-01-07 |
发明(设计)人: | 克雷格·R·斯克拉;史蒂文·C·理德;瑟奇·韦策尔斯;凯瑟琳·A·莱瑟达勒;马修·R·C·阿特金森 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03C1/73;G02B6/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 车文;郑立 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种方法,所述方法包括提供其上具有包含多光子可固化光活性组合物的层的基底,用光束照射所述层的至少一个区域,其中所述光束可固化或引发固化所述多光子可固化光反应组合物;以及处理所述基底反射的光束的一部分,以获得每个区域所述层与所述基底之间界面的位置信号。 | ||
搜索关键词: | 加工 光子 固化 活性 组合 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种方法,包括:提供基底,所述基底上具有包含多光子可固化光活性组合物的层;用光束照射所述层的至少一个区域,其中所述光束固化或引发固化所述多光子可固化光活性组合物;以及处理所述基底反射的所述光束的一部分,以获得每个区域所述层与所述基底之间界面的位置信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于3M创新有限公司,未经3M创新有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680048295.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发光反光雨伞
- 下一篇:自然流体动能利用转化装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造