[发明专利]场效应晶体管无效
| 申请号： | 200680047375.7 | 申请日： | 2006-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101331599A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 松永高治;大田一树;冈本康宏;中山达峰;分岛彰男;安藤裕二;宫本广信;井上隆;村濑康裕 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L29/06;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;黄启行 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件(100)，具有：未掺杂GaN沟道层(105)、与未掺杂GaN沟道层(105)接触的AlGaN电子施主层(106)、提供在AlGaN电子施主层(106)上的未掺杂GaN层(107)、提供在未掺杂GaN层(107)上并彼此间隔开的源电极(101)和漏电极(103)、提供在源电极(101)和漏电极(103)之间的区域中并穿透未掺杂GaN层(107)的凹槽(111)、埋入凹槽(111)并在其底部表面与AlGaN电子施主层(106)相接触的栅电极(102)、以及在栅电极(102)和漏电极(103)之间区域中提供在未掺杂GaN层(107)上的SiN膜(108)。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：沟道层，其由第一未掺杂GaN层构成；电子施主层，其与所述沟道层相接触地被提供在所述沟道层上，并且由AlxGa1-xN(0＜x≤1)构成；第二未掺杂GaN层，其被提供在所述电子施主层上；源电极和漏电极，被彼此间隔开地提供在所述第二未掺杂GaN层上；凹槽，提供在所述源电极和所述漏电极之间的区域中，并延伸通过所述第二未掺杂GaN层；栅电极，被埋入所述凹槽中，具体在所述栅电极的所述漏电极侧与所述凹槽的侧壁相接触，并在所述栅电极的底部与所述电子施主层相接触；以及绝缘膜，提供在所述栅电极和所述漏电极之间的区域中的所述第二未掺杂GaN层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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