[发明专利]金属类膜脱碳处理方法、成膜方法和半导体装置制造方法无效
| 申请号： | 200680047198.2 | 申请日： | 2006-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101356626A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 山崎英亮;秋山浩二;山崎和良;河野有美子 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;C23C16/56;H01L21/285;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属类膜的脱碳处理方法、成膜方法和半导体装置的制造方法，在作为半导体基板的Si基板(1)上形成栅极绝缘膜(2)，接着在栅极绝缘膜(2)上通过使用包含W(CO)6气体的成膜气体的CVD形成W类膜(3a)。然后，在存在有还原性气体的条件下进行氧化处理，不使W类膜(3a)中的W被氧化而仅使C被选择性地氧化，从而使W类膜(3a)中所包含的C浓度降低。其后，根据需要，在实施热处理后，进行抗蚀剂涂敷、制作布线图案、蚀刻等，而且通过离子注入等形成杂质扩散区域(10)，由此形成MOS结构的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 脱碳 处理 方法 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种金属类膜的脱碳处理方法，其特征在于：在处理室内有还原性气体存在的条件下、在氧化气体氛围中对在基板上形成的金属类膜进行脱碳处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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