[发明专利]激光加工方法有效
申请号: | 200680044101.2 | 申请日: | 2006-11-16 |
公开(公告)号: | CN101317250A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | 村松宪一;坂本刚志 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B23K101/40;B23K26/10 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘春成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种激光加工方法,在将吸附平台和保持部件分开时,可防止以改质区域为切断起点沿着切断预定线切断加工对象物。在真空卡盘的吸附平台(52)上,隔着多孔薄片(53)对展开设置在框架(51)并且保持有加工对象物(1)的扩张带(23)进行吸附固定。此时,因薄片(53)的杨氏模数比平台(52)的杨氏模数低,所以能够抑制扩张带(23)陷入薄片(53)的微孔。由此,在形成改质区域(7)后即使解除吸附固定,将平台(52)和扩张带(23)分开,也不会有大的弯曲应力作用在加工对象物(1)上。因此,在将平台(52)和扩张带(23)分开时,可防止以改质区域为切断起点沿着切断预定线切断加工对象物。 | ||
搜索关键词: | 激光 加工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种激光加工方法,其特征在于,具备有下述工序,在真空卡盘的吸附平台上,隔着多孔质薄片对保持有晶片状加工对象物的保持部件进行吸附固定,将聚光点对准在所述加工对象物的内部并照射激光,由此沿着所述加工对象物的切断预定线,在所述加工对象物的内部形成成为切断起点的改质区域,所述薄片的杨氏模数比所述吸附平台的杨氏模数低。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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