[发明专利]激光加工方法有效
申请号: | 200680044101.2 | 申请日: | 2006-11-16 |
公开(公告)号: | CN101317250A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | 村松宪一;坂本刚志 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B23K101/40;B23K26/10 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘春成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 加工 方法 | ||
1.一种激光加工方法,其特征在于,具备有下述工序,
在真空卡盘的吸附平台上,隔着多孔质薄片对保持有晶片状加工对象物的可扩展的保持部件进行吸附固定,将聚光点对准在所述加工对象物的内部并照射激光,由此沿着所述加工对象物的切断预定线,在所述加工对象物的内部形成成为切断起点的改质区域,
所述薄片的杨氏模数比所述吸附平台的杨氏模数低。
2.如权利要求1所述的激光加工方法,其特征在于:
所述薄片的磨擦系数比所述吸附平台的磨擦系数低。
3.如权利要求1所述的激光加工方法,其特征在于:
所述薄片的厚度为0.2mm以下。
4.如权利要求1所述的激光加工方法,其特征在于:
所述薄片对所述激光的光吸收系数比所述吸附平台的光吸收系数低。
5.如权利要求1所述的激光加工方法,其特征在于:
所述薄片对所述激光的透过率比所述吸附平台的透过率高。
6.如权利要求1所述的激光加工方法,其特征在于:
所述薄片对所述激光的反射率比所述吸附平台的反射率高。
7.如权利要求1所述的激光加工方法,其特征在于:
在形成所述改质区域的工序之后,还具备下述工序,
通过使所述保持部件扩展,以所述改质区域为切断的起点而沿着所述切断预定线对所述加工对象物进行切断。
8.如权利要求7所述的激光加工方法,其特征在于:
在形成所述改质区域的工序之后,所述薄片安装在所述吸附平台上。
9.如权利要求7所述的激光加工方法,其特征在于:
在形成所述改质区域的工序之后,所述薄片安装在所述保持部件上,并在切断所述加工对象物的工序之后,从所述保持部件上卸下。
10.如权利要求7所述的激光加工方法,其特征在于:
在形成所述改质区域的工序之后,所述薄片安装在所述保持部件上,并在切断所述加工对象物的工序之前,从所述保持部件上卸下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造