[发明专利]与ALD反应器有关的装置无效
| 申请号： | 200680043030.4 | 申请日： | 2006-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101310044A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | P·索伊尼宁;S·斯耐克 | 申请（专利权）人： | BENEQ有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;C23C16/00;C23C16/455;C30B25/00;C30B25/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王会卿 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于ALD反应器的装载设备，该ALD反应器包括真空室(2)和设置在该真空室(2)内部的反应室(4)，该真空室具有第一端壁(6)和包括后凸缘的第二端壁(20)以及连接第一和第二端壁的侧壁/壳体(22)。根据本发明，该装载设备设置在真空室(2)的侧壁/壳体(22)中，在这种情况下，一个或多个衬底(10)能通过该真空室(2)的侧壁(22)被引入反应室(4)和从其移出。 | ||
| 搜索关键词： | ald 反应器 有关 装置 | ||
【主权项】：
1.一种ALD反应器，包括真空室(2)和设置在该真空室(2)内部的反应空间，其特征在于，该反应器包括装载设备，该装载设备设置在真空室(2)的第一或第二端壁(6，20)或侧壁/壳体(22)中以便能通过一种线性运动将一个或多个衬底(10)引入位于真空室(2)内部的反应空间中和相应地从反应空间移出。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
