[发明专利]掺杂有锑以避免或限制掺杂物扩散的垂直二极管无效
| 申请号： | 200680042220.4 | 申请日： | 2006-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101305469A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 坦迈·库马尔;S·布拉德·赫纳 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/868;H01L21/329;H01L29/167;H01L27/102;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述在具有垂直掺杂物分布的半导体结构中使用锑作为n型增强导电性掺杂物。掺杂物易于扩散，且难以维持陡的掺杂梯度。具体地说，当硅层中掺杂有磷或砷(两者都是n型掺杂物)时，由于未经掺杂的硅沉积在n型掺杂层之上，所以掺杂物原子趋向于向表面移动，从而在沉积期间上升穿过未经掺杂的硅。锑不具有此趋向，且还比磷或砷扩散得更慢，且这将有利地用于掺杂此类结构。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 避免 限制 扩散 垂直 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种垂直定向的二极管，其包括：掺杂有锑的第一多晶半导体材料层；以及掺杂有p型掺杂物的第二多晶半导体材料层，所述第一层垂直地形成于所述第二层上方或下方，其中所述二极管是包括所述第一和第二多晶半导体材料层的半导体结型二极管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克3D公司，未经桑迪士克3D公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680042220.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：不含蜡的泡沫型美容组合物
- 下一篇：用于具有过载保护的应用服务器的系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
