[发明专利]用于制造硅或其他晶体材料的带的装置及制造方法无效
| 申请号： | 200680040466.8 | 申请日： | 2006-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101300686A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 罗兰·艾因豪斯;弗朗索瓦·利萨尔德;休伯特·劳弗雷 | 申请（专利权）人： | 阿波朗·索拉尔公司;西伯斯塔公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种装置，该装置包括具有底部(2)和侧壁的坩埚(1)。坩埚(1)包括至少一个水平布置于侧壁(3)的底部的横向狭缝(4)。横向狭缝(4)具有大于50mm的宽度，优选地介于100mm和500mm之间。狭缝(4)的宽度(H)介于50和1000微米之间。晶体材料通过横向狭缝(4)从该坩埚输出，以形成晶体带(R)。该方法包括将结晶化核与通过横向狭缝(4)输出的材料接触的步骤，以及带(R)的水平位移步骤(14)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 其他 晶体 材料 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过受控结晶化制造晶体材料的带(R)的装置，其特征在于，所述装置包括具有底部(2)和侧壁(3)的坩埚(1)，所述坩埚(1)包括水平布置于所述侧壁(3)的底部的至少一个横向狭缝(4)，所述横向狭缝(4)具有大于50mm的宽度(L)以及介于50和1000微米之间的高度(H)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
