[发明专利]用于制造硅或其他晶体材料的带的装置及制造方法

权利要求书

1.一种通过受控结晶化制造晶体材料的带(R)的装置，其特征在于，所述装置包括具有底部(2)和侧壁(3)的坩埚(1)，所述坩埚(1)包括水平布置于所述侧壁(3)的底部的至少一个横向狭缝(4)，所述横向狭缝(4)具有大于50mm的宽度(L)以及介于50和1000微米之间的高度(H)。

2、根据权利要求1的装置，其特征在于，所述横向狭缝(4)的宽度介于100mm和500mm之间。

3、根据权利要求1或2的装置，其特征在于，所述横向狭缝(4)布置于所述坩埚(1)的所述底部(2)和一个所述侧壁(3)之间。

4、根据权利要求1至3中任一项的装置，其特征在于，所述横向狭缝(4)加工形成于所述侧壁(3)中。

5、根据权利要求1至3中任一项的装置，其特征在于，所述横向狭缝(4)具有可变的高度(H)。

6、根据权利要求1至5中任一项的装置，其特征在于，所述装置包括向所述坩埚(1)供给待结晶化的原料的持续供给装置(7)。

7、根据权利要求1至6中任一项的装置，其特征在于，所述装置包括在所述横向狭缝(4)的水平上局部冷却所述坩埚(1)的所述底部(2)的冷却装置(9、10)。

8、根据权利要求1至7中任一项的装置，其特征在于，所述装置包括在所述横向狭缝(4)的水平上局部加热所述例壁(3)的加热装置(15)。

9、根据权利要求1至8中任一项的装置，其特征在于，所述装置包括通过所述坩埚(1)的所述横向狭缝(4)输出的晶体材料带(R)的夹持装置(12)。

10、根据权利要求1至9中任一项的装置，其特征在于，所述装置包括提拉晶体材料的带(R)的位移装置(11)。

11、根据权利要求1至10中任一项的装置，其特征在于，所述狭缝(4)由一系列孔(18)形成，所述一系列孔(18)间隔布置使得穿过孔(18)的材料丝在孔(18)出口处互相结合形成所述带(R)。

12、一种使用权利要求1至11中任一项的装置，通过沿结晶轴(C)的受控结晶化的晶体材料的带(R)的制造方法，其特征在于，所述结晶轴(C)垂直于所述装置的提拉轴(T)。

13、根据权利要求12的制造方法，其特征在于，所述结晶材料通过所述横向狭缝(4)输出，所述方法包括将结晶化种子(13)与通过所述横向狭缝(4)输出的材料接触的步骤，以及所述带(R)的水平位移步骤(14)。

14、根据权利要求12或13的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括将所述制造装置直接集成到光伏电池生产线中。

15、根据权利要求12至14中任一项的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括使所述坩埚(1)和/或所述带(R)相对于水平面(17)的倾斜。