[发明专利]LUS半导体与应用电路无效
| 申请号： | 200680039891.5 | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101390280A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 卢昭正 | 申请（专利权）人： | 卢昭正 |
| 主分类号： | H02M7/00 | 分类号： | H02M7/00;H03H3/00 |
| 代理公司： | 深圳创友专利商标代理有限公司 | 代理人： | 彭家恩 |
| 地址： | 中国台湾台北市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明所述的Lus半导体的特点在于，使用极性反转的(与常规SSD相比)SSD、肖特基二极管、或齐纳二极管、或面对面或背对背耦合的肖特基二极管、齐纳二极管、快速二极管、或诸如DIAC和Triac之类的四层器件，替代常规的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor，Power MOSFET)的静电保护二极管(static shielding diode，SSD)。通过使用具有相当低的漏源电阻器(drain to source resistor，Rds)的建议功率MOSFET，有可能实现高效交流/直流转换和直流电压调整这两项主要功能。 | ||
| 搜索关键词： | lus 半导体 应用 电路 | ||
【主权项】：
1. 一种功率半导体器件，其特征在于，在制造过程期间，在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的漏节点与源节点之间形成特性电路，从而使所述功率半导体器件具有功率整流和电压调整功能。
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