[发明专利]中空二氧化硅粒子及其制备方法无效
| 申请号： | 200680037266.7 | 申请日： | 2006-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101282907A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 马修·大卫·巴茨;萨拉·伊丽莎白·吉诺维斯;保罗·伯切尔·格拉泽;达里尔·斯蒂芬·威廉姆斯 | 申请（专利权）人： | 莫门蒂夫功能性材料公司 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了用于制备二氧化硅中空粒子的方法，所述粒子由包括含硅化合物的组合物制备，所述含硅化合物选自四烷氧基硅烷、三烷氧基硅烷及其衍生物、二烷氧基硅烷及其衍生物、烷氧基硅烷及其衍生物、有机硅低聚物、低聚倍半硅氧烷以及有机硅聚合物，其分布在从所述粒子中去除的整个聚合物模板芯上。本发明的粒子具有基本上均匀的粒度，并表现出低的液体渗透性。 | ||
| 搜索关键词： | 中空 二氧化硅 粒子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.用于制备含二氧化硅的中空粒子的方法，包括步骤：制造模板粒子；向所述模板粒子的表面提供偶联剂；在所述模板粒子上提供含硅的化合物以沉积含二氧化硅的壳，从而在所述模板粒子上产生基本均匀的涂层；以及通过如下方式消除所述模板粒子，首先将所述模板粒子加热至约325℃～约525℃的第一温度持续第一段时间，然后将所述粒子加热至约525℃～约900℃的第二温度持续第二段时间，由此制备二氧化硅中空粒子。
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