[发明专利]用于更低的米勒电容和改善的驱动电流的单个栅极上的多个低和高介电常数栅级氧化物无效
| 申请号： | 200680034274.6 | 申请日： | 2006-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101268543A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 达雷塞蒂·奇达姆巴拉奥;奥默·多库马西;奥莱格·格鲁申科夫;迈克尔·贝利安斯基 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有至少一CMOS器件的半导体结构，其中米勒电容，即重叠电容被减小并且驱动电流被改善。本发明的结构包括具有至少一上覆栅极导体的半导体衬底，各至少一上覆栅极导体具有垂直边缘；位于所述至少一上覆栅极导体下面的第一栅极氧化物，所述第一栅极氧化物不延伸至至少一上覆栅极导体的边缘之外；和位于所述部分至少一上覆栅极导体下面的第二栅极氧化物。根据本发明，所述第一栅极氧化物和第二栅极氧化物选自高k含氧化物材料和低k含氧化物材料，附带条件是当所述第一栅极氧化物是高k时则所述第二栅极氧化物是低k，或者当所述第一栅极氧化物是低k时，则所述第二栅极氧化物是高k。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 米勒 电容 改善 驱动 电流 单个 栅极 多个低 介电常数 氧化物 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：具有至少一上覆栅极导体的半导体衬底，各所述至少一上覆栅极导体具有垂直边缘；位于所述至少一上覆栅极导体下面的第一栅极氧化物，所述第一栅极氧化物不延伸至所述至少一上覆栅极导体的垂直边缘之外；和位于所述部分至少一上覆栅极导体下面的第二栅极氧化物，其中所述第一栅极氧化物和第二栅极氧化物选自高k含氧化物材料和低k含氧化物材料，附带条件是当所述第一栅极氧化物是高k时则所述第二栅极氧化物是低k，或者当所述第一栅极氧化物是低k时，则所述第二栅极氧化物是高k。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
