[发明专利]用于形成NMOS与PMOS晶体管中的凹陷的受应变的漏极/源极区的技术有效

申请号：	200680031372.4	申请日：	2006-08-23
公开（公告）号：	CN101253619A	公开（公告）日：	2008-08-27
发明（设计）人：	J·亨奇尔;A·魏;T·卡姆勒;M·拉布	申请（专利权）人：	先进微装置公司
主分类号：	H01L21/8238	分类号：	H01L21/8238;H01L21/265;H01L27/092
代理公司：	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人：	戈泊
地址：	美国加利***	国省代码：	美国;US
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摘要：	通过在PMOS晶体管(110、210)中形成受应变的半导体层(strainedsemiconductor layer)(117、217)，可达到对应的受压缩应变的信道区(111A)，而另一方面，可松弛(relax)该NMOS晶体管(120、220)中的对应应变。由于在该NMOS晶体管中降低的硅/锗的能带间隙造成降低的接面电阻，而完成整体的效能增益，其中，特别是在部分耗尽的SOI装置中，由于该PMOS(110、210)及NMOS晶体管(120、220)中的硅/锗层(117、127、217、227)所产生的提高泄漏电流，使有害的浮体效应(floating body effect)也降低了。
搜索关键词：	用于形成 nmos pmos 晶体管中的凹陷应变源极区技术
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【主权项】：

1、一种方法，包含：形成邻近第一类型的第一晶体管(110、210)的栅极电极(112、212)的第一凹部(116、216)；形成邻近第二类型的第二晶体管(120、220)的栅极电极(122、222)的第二凹部(126、226)，所述的第二类型与所述的第一类型不相同；在所述的第一与第二凹部(116、216、126、226)中选择性地形成受应变的半导体层(117、217、127、227)；以及选择性地改变所述第二凹部(126、226)中的所述受应变的半导体层(127、227)以降低其中的应变。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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