[发明专利]制造异质结双极晶体管的方法有效
| 申请号： | 200680030413.8 | 申请日： | 2006-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101243555A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 让－卢卡·珀卢阿尔;梅兰伊亚·利杰阿迪;克里斯托夫·迪普伊;法布里克·帕尔多;菲利普·博韦 | 申请（专利权）人： | 国立科学研究中心;S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/201;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种异质结双极晶体管，包括载体以及从该载体外延生长的至少：一个集电极层或发射极层；至少一个基极层(B)；以及至少一个发射极层或集电极层；所述集电极或发射极层包括：至少一个第一亚层(C1)，所述第一亚层与所述基极层接触，与所述发射极或集电极层的成分基本相同；以及至少一个第二亚层(C2)，第二亚层相对于所述第一亚层位于与所述基极层的相对侧。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 异质结 双极晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过堆叠外延生长的半导体层制备异质结双极晶体管的方法，包括以下步骤：从载体外延生长至少一个集电极层或发射极层、至少一个基极层、以及至少一个发射极层或集电极层，这些层具有产生引起变形的栅格匹配缺陷的成分，其特征在于，外延生长所述集电极层或发射极层的步骤包括外延生长与所述基极层接触的、用于平衡约束并减小所述变形的至少一个第一亚层(C1)以及基于所述第一亚层位于所述基极层相对侧的至少一个第二亚层(C2)的子步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立科学研究中心;S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司，未经国立科学研究中心;S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680030413.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
