[发明专利]中孔二氧化硅及其制备方法无效
| 申请号： | 200680029447.5 | 申请日： | 2006-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101272987A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 高桥俊;坂本一民;樋渡幸三 | 申请（专利权）人： | 株式会社资生堂 |
| 主分类号： | C01B37/02 | 分类号： | C01B37/02;C01B33/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴娟;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供使用表面活性剂缔合物结构作为模板、在无电解质的条件下制备中孔二氧化硅的方法，进一步提供以往无法得到的新形状的中孔二氧化硅。使用非离子表面活性剂和特定结构的水溶性硅酸酯单体，在中性条件下反应，由此可以在无电解质的条件下制备中孔二氧化硅。并且，在溶解于水时使用在适当的温度范围和浓度范围内可以形成带状相或向列相的非离子表面活性剂，可以制备片状的中孔二氧化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 中孔二氧化硅，其特征在于：该中孔二氧化硅得自下述(A)和(B)的成分：(A)非离子表面活性剂，(B)下述通式(1)所示的水溶性硅酸酯单体，Si-(OR1)4 (1)式中R1为多元醇残基。
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