[发明专利]具有改善的光提取的激光剥离发光二极管有效
| 申请号： | 200680025472.6 | 申请日： | 2006-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN101438422A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 高翔;哈里·S·韦努高普兰;伊万·埃利亚舍维奇;迈克尔·萨克赖森 | 申请（专利权）人： | 吉尔科有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光器件，该发光器件包括限定发光pn结的半导体叠层以及设置在半导体叠层上方的介电层。介电层具有与半导体叠层的折射率基本匹配的折射率。介电层具有远离半导体叠层的主表面。远端主表面包含有被构造成以便促进半导体叠层中所产生光的提取的图案、粗糙度或纹理。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 提取 激光 剥离 发光二极管 | ||
【主权项】：
1. 一种发光器件，包括：半导体叠层，限定发光pn结；以及介电层，设置在所述半导体叠层之上，所述介电层具有的折射率与所述半导体叠层的折射率基本匹配，所述介电层具有远离所述半导体叠层的主表面，该远端主表面包含有被构造成促进所述半导体叠层中所产生光的提取的图案、粗糙度或纹理。
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