[发明专利]使用张应力应变膜的SRAM器件

摘要

本发明提供使用张应力应变膜(tensile－stressed strain film)的静态随机存取存储器(SRAM)器件以及制造此等SRAM器件的方法。在一实施例中，SRAM器件(50)包括被电连接及实体上(physically)隔离的N型场效应晶体管(NFET)(54)与P型场效应晶体管(PFET)(52)。PFET(52)具有栅极区(64)、源极区(60)与漏极区(58)。张应变应力膜设在PFET(52)的栅极区(64)与至少部分的源极区(60)和漏极区(58)上。制造SRAM器件(50)的存储单元(cell)的方法包括制造覆于衬底(56)上的NFET(54)与PFET(52)。PFET与NFET被电连接且在物理隔离。张应力应变膜(76)沉积在PFET(52)的栅极区(64)与至少部分的源极区(60)和漏极区(58)上。

主权项

1.一种SRAM器件(50)，包括：NFET(54)；PFET(52)，其被电连接至所述NFET(54)并与所述NFET物理隔离，其中所述PFET(52)具有沟道区(62)、栅极区(64)、源极区(60)与漏极区(58)；以及张应变应力膜(76)，其被设置在所述PFET(52)的所述栅极区(64)与至少部分的所述源极区(60)和所述漏极区(58)上，其中所述张应变应力膜(76)施加张应力至所述PFET的所述沟道区(62)上。