[发明专利]使用超临界溶剂的结晶制造方法、结晶生长装置、结晶及器件有效
| 申请号： | 200680023605.6 | 申请日： | 2006-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101213327A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 川端绅一郎;吉川彰;镜谷勇二;福田承生 | 申请（专利权）人： | 三菱化学株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B29/16;C30B29/18;C30B29/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于，在反应容器内存在规定量的与溶剂临界密度不同的物质，通过溶剂热法进行结晶生长，从而控制结晶的析出位置，提高结晶的收率，此外，防止在结晶中混入杂质，从而使结晶高纯度化。本发明的结晶制造方法是在反应容器中使用超临界状态和/或亚临界状态的溶剂以及原料而使结晶生长，其特征在于，在该反应容器中存在满足式(1)且与该溶剂的临界密度差为25％以上的物质(X)，通过调整该物质(X)的量，控制结晶的析出位置。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 临界 溶剂 结晶 制造 方法 生长 装置 器件 | ||
【主权项】：
1.一种结晶制造方法，其是在反应容器中使用超临界状态和/或亚临界状态的溶剂以及原料而使结晶生长的结晶制造方法，其中，在该反应容器中存在满足下述式(1)且与上述溶剂的临界密度差为25％以上的物质(X)，并且，通过调整该物质(X)的量，控制结晶的析出位置，[数学式1]
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱化学株式会社;国立大学法人东北大学，未经三菱化学株式会社;国立大学法人东北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680023605.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
