[发明专利]β-双烯酮亚胺配体源和其含金属化合物,以及包括其的系统和方法无效
申请号: | 200680023256.8 | 申请日: | 2006-06-27 |
公开(公告)号: | CN101208784A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 丹·米尔沃德;蒂莫西·A·奎克 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/316 | 分类号: | H01L21/316;C23C16/40;C07F3/00;C07F5/00;C07C51/12;H01L21/314 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王允方 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供包括至少一个β-双烯酮亚胺配体的含金属化合物,以及制备和使用所述化合物的方法。在某些实施例中,所述含金属化合物包括至少一个β-双烯酮亚胺配体,其具有至少一个含氟有机基团作为取代基。在某些其它实施例中,所述含金属化合物包括至少一个β-双烯酮亚胺配体,其具有至少一个脂肪族基团作为取代基,所述脂肪族基团经选择从而具有比所属领域已知的某些含金属化合物的β-双烯酮亚胺配体中的相应取代基更高的自由度。可使用所述化合物利用气相沉积法来沉积含金属层。本发明还提供包括所述化合物的气相沉积系统。本发明还提供β-双烯酮亚胺配体源。 | ||
搜索关键词: | 双烯 亚胺 配体源 金属 化合物 以及 包括 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在衬底上形成含金属层的方法,所述方法包含:提供衬底;提供包含至少一种下式(式I)的化合物的蒸气:
其中:M选自由2族金属、3族金属、镧系元素和其组合组成的群组;各L独立地为阴离子配体;各Y独立地为中性配体;n表示所述金属的价态;z为0到10;x为1到n;且各R1、R2、R3、R4和R5独立地为氢或有机基团,条件是至少一个所述R基团为含氟有机基团;和使所述包含所述至少一种式I的化合物的蒸气与所述衬底接触,使用气相沉积方法于所述衬底的至少一个表面上形成含金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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