[发明专利]图像传感器像素及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200680022212.3 申请日: 2006-06-14
公开(公告)号: CN101203959A 公开(公告)日: 2008-06-18
发明(设计)人: 朴哲秀 申请(专利权)人: (株)赛丽康;朴哲秀
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 代理人: 余朦;方挺
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了一种图像传感器像素及其制造方法,该像素内部的场氧化层的特定或全部面积可用作光电二极管以增大填充因数。该图像传感器像素包括埋入半导体衬底内的光电二极管,在光电二极管形成之后形成的像素晶体管。图像传感器像素包括:像素晶体管;将像素晶体管隔开的场氧化层;位于场氧化层特定或全部区域下部的光电二极管。制造方法包括:在半导体衬底的特定区域内形成沟槽区;形成包括至少一部分沟槽区的光电二极管;以及在所述光电二极管形成之后形成像素晶体管。因此,光电二极管的表面积增大,从而填充因数及光敏度提高。在图像传感器的单位像素内,除了形成晶体管的区域之外的全部像素面积都变为光电二极管区域,因此使填充因数最大化。
搜索关键词: 图像传感器 像素 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种图像传感器像素,包括:光电二极管,埋入半导体衬底内部;以及像素晶体管,在所述光电二极管形成之后形成。
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