[发明专利]图像传感器像素及其制造方法无效
申请号: | 200680022212.3 | 申请日: | 2006-06-14 |
公开(公告)号: | CN101203959A | 公开(公告)日: | 2008-06-18 |
发明(设计)人: | 朴哲秀 | 申请(专利权)人: | (株)赛丽康;朴哲秀 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦;方挺 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供了一种图像传感器像素及其制造方法,该像素内部的场氧化层的特定或全部面积可用作光电二极管以增大填充因数。该图像传感器像素包括埋入半导体衬底内的光电二极管,在光电二极管形成之后形成的像素晶体管。图像传感器像素包括:像素晶体管;将像素晶体管隔开的场氧化层;位于场氧化层特定或全部区域下部的光电二极管。制造方法包括:在半导体衬底的特定区域内形成沟槽区;形成包括至少一部分沟槽区的光电二极管;以及在所述光电二极管形成之后形成像素晶体管。因此,光电二极管的表面积增大,从而填充因数及光敏度提高。在图像传感器的单位像素内,除了形成晶体管的区域之外的全部像素面积都变为光电二极管区域,因此使填充因数最大化。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 像素 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器像素,包括:光电二极管,埋入半导体衬底内部;以及像素晶体管,在所述光电二极管形成之后形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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