[发明专利]金属构件的保护膜构造及采用该保护膜构造的金属零件、半导体或平板显示器制造装置无效
| 申请号： | 200680020909.7 | 申请日： | 2006-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN101218376A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;白井泰雪;森永均;河濑康弘;北野真史;水谷文一;石川诚;岸幸男 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学;三菱化学株式会社;日本陶瓷科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C8/10;C25D11/08;C25D11/10;C25D11/16;C25D11/18;H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种使抑制反应生成物堆积到半导体或平板显示器制造装置等的处理室内壁等上、因内壁等的腐蚀造成的金属污染、放出气体造成的工艺不稳定性等多个工艺成为可能的多功能制造装置系统及用于该系统的保护皮膜构造。在金属材料的表面上具有作为基底层的第1皮膜层，再形成200μm左右的第2皮膜层，该第1皮膜层具有通过母材的直接氧化形成的1μm以下膜厚的氧化物皮膜。通过该构成，可以使第2层的保护膜对离子和自由基具有耐蚀性，使第1层的氧化物皮膜起到防止因分子和离子扩散到第2层保护膜中使母材金属表面受到腐蚀的保护层的效果，降低各金属构件、工艺腔内表面对基板造成的金属污染。可以抑制因母材和第2层的保护膜界面的腐蚀造成的第2层保护膜密着力下降而导致的第2层保护膜的剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 金属构件 保护膜 构造 采用 金属 零件 半导体 平板 显示器 制造 装置 | ||
【主权项】：
1.一种金属构件的保护膜构造，是半导体等的制造装置中使用的金属构件的保护膜构造，其特征在于，具有第1皮膜层和第2皮膜层，其中，该第1皮膜层具有由母材金属的直接氧化而形成的氧化物皮膜，该第2皮膜层由与第1皮膜层不同的材料构成。
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