[发明专利]用于硅太阳能电池的透明导体

摘要

本发明提供其中形成接触结构体的光电池器件，所述接触结构体具有在被接触的区域的表面上形成的多条重掺杂半导体沟道。所述重掺杂半导体沟道具有与所述被接触的区域相同的掺杂剂极性，并且形成跨过所述被接触的区域的表面的横向导电通道。在所述被接触的区域的表面上形成包含导电指的接触敷金属，并且每一根导电指跨过所述重掺杂沟道的至少一些以与其进行电接触。通过在所述被接触的表面上形成掺杂剂源材料的层并且激光掺杂在所述被接触的表面中的重掺杂沟道形成所述接触结构体。然后将所述接触敷金属形成为在所述被接触的表面上形成的导电指，并且可以丝网印刷，金属电镀或者可以形成为埋入式接触。

主权项

1.一种光电池器件，所述光电池器件包含接触结构体，所述接触结构体包含：在被接触的区域的表面上形成的，并且具有与所述被接触的区域相同的掺杂剂极性的多条重掺杂半导体沟道，其形成跨过所述被接触的区域的表面的横向导电通道；以及接触敷金属，其包含在所述被接触的区域的表面上形成的一根或多根导电指，所述导电指的一根或多根跨过至少一条所述重掺杂沟道以与其进行电接触。