[发明专利]利用改进的NPN双极晶体管基极接入电阻的方法和器件无效
| 申请号： | 200680019342.1 | 申请日： | 2006-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101189728A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 谭博成;彼得·戴克勒;西塞罗·西尔韦拉·沃谢 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰爱*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种结构，此结构包括依然共用共同的DTI区和单个大片基极多晶硅的多个短发射极。这种结构允许基极电流向4个方向(即2维)而不是仅2个方向上流动。因而大大减小了晶体管基极电阻，这对于使NPN晶体管获得更好的RF特性和高频噪声特性是至关重要的。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 改进 npn 双极晶体管 基极 接入 电阻 方法 器件 | ||
【主权项】：
1.一种垂直晶体管，包括：至少2个发射极条(301)，每个包括：一个基极区，一个发射极区，和一个集电极区，其中所述的至少2个发射极条(301)共用一个共同DTI区(311)和一个单基极多晶硅(304)。
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