[发明专利]贴合晶片的制造方法有效
| 申请号： | 200680018233.8 | 申请日： | 2006-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN101185154A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 冈部启一;宫崎进 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306;H01L27/12 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明提供一种贴合晶片的制造方法，是在基体晶片和接合晶片的至少一方的表面形成氧化膜，并透过该氧化膜使基体晶片和接合晶片密接，并在氧化性环境下对其施加热处理而使其结合后，磨削除去上述接合晶片的外周部至规定厚度为止，随后通过蚀刻来除去该接合晶片外周部的未结合部，如此进行后，将上述接合晶片薄膜化至需要厚度为止的贴合晶片的制造方法，其特征是：上述蚀刻是使用30℃以下的至少含有氢氟酸、硝酸和乙酸的混酸来进行。由此，可以提供一种贴合晶片的制造方法，能够以对Si的蚀刻速度与对SiO2的蚀刻速度的选择比 |
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| 搜索关键词： | 贴合 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种贴合晶片的制造方法，其在基体晶片和接合晶片的至少一方的表面形成氧化膜，并通过该氧化膜使基体晶片和接合晶片密接，并在氧化性环境下对其施加热处理而使其结合后，磨削除去上述接合晶片的外周部至规定厚度，然后通过蚀刻来除去该接合晶片外周部的未结合部，将上述接合晶片薄膜化至需要厚度，其特征是：上述蚀刻是使用30℃以下的至少含有氢氟酸、硝酸、及乙酸的混酸来进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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