[发明专利]嵌入式电容结构无效
| 申请号： | 200680018071.8 | 申请日： | 2006-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101189925A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 卢志卫;乐文肯;王志昆;卫莱莱 | 申请（专利权）人： | 新加坡科技研究局 |
| 主分类号： | H05K3/46 | 分类号： | H05K3/46;H01L23/48;H01L23/66;H01G4/00 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张颖玲 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 一种埋入电容结构(100)，包括：主体；至少一个埋入电容(102，104)，其具有形成于主体中的第一电极(108)、介质层、和第二电极(118)；以及形成于主体中的至少一个孔电连接(110，112)；其中至少一个第一和第二电极(108，118)没有直接电连接到该孔电连接(110，112)。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 电容 结构 | ||
【主权项】：
1.一种埋入电容结构，包括主体；至少一个埋入电容，具有形成于主体中的第一电极、介质层、和第二电极；以及形成于主体中的至少一个孔电连接；其中至少一个第一和第二电极没有直接电连接到该孔电连接。
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