[发明专利]介电材料的气相处理无效
申请号: | 200680017835.1 | 申请日: | 2006-01-17 |
公开(公告)号: | CN101203944A | 公开(公告)日: | 2008-06-18 |
发明(设计)人: | A·S·巴纳普;I·戈尔斯克;D·H·恩迪施;B·J·丹尼尔斯;K·S·伯恩哈姆;R·R·罗思 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔国际公司 |
主分类号: | H01L21/316 | 分类号: | H01L21/316;H01L21/3105;C23C16/56;C23C16/40 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吕彩霞;邹雪梅 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及施加用于有机硅酸盐玻璃介电薄膜的表面改性剂组合物的方法。更特别地,本发明涉及处理衬底上硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜的方法,该薄膜或者包含硅烷醇部分,或者已使至少部分先前存在的含碳部分被除去。该处理增加了薄膜的含碳部分和/或当薄膜多孔时,密封了薄膜的表面孔。 | ||
搜索关键词: | 材料 相处 | ||
【主权项】:
1.一种处理衬底上硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜的方法,该硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜或者包含硅烷醇部分,或者该硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜已使至少部分先前存在的含碳部分从中除去,该方法包括:(a)任选地对衬底上的至少一部分硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜进行脱水;然后(b)任选地施加表面改性剂组合物用活化剂到硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜上;然后(c)使硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜接触蒸汽或气体状态的表面改性剂组合物,其中表面改性剂组合物包含能通过甲硅烷基化而烷基化或芳基化硅烷醇部分或键的组分,该硅烷醇部分或键从硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜除去含碳部分形成;所述接触在足以实现(i)或(ii)或(iii)的条件下进行:(i)增加含碳部分到硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜,或(ii)当薄膜多孔时,密封硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜的表面孔;或(iii)先增加含碳部分到硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜,然后当薄膜多孔时,密封硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜的表面孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔国际公司,未经霍尼韦尔国际公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680017835.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造