[发明专利]绝缘体上半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200680016389.2 | 申请日： | 2006-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101180725A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | M·M·佩莱拉 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/033;H01L21/329;H01L27/06;H01L27/12;H01L21/28;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种绝缘体上半导体(SOI)装置(20)的制造方法。于一个实施例中，本方法包括提供单晶硅衬底(24)，在该衬底上覆有单晶硅层(22)，并以电介质层(26)将该衬底与该单晶硅层分隔。沉积并图案化栅电极材料(39)以形成栅电极(40，42)和间隔件(44)。使用该栅电极(40，42)作为离子注入掩模而将杂质决定掺杂物离子(54，56)注入到单晶硅层(22)中，以在该单晶硅层(22)中形成间隔开的源极(56，66)和漏极(58，68)区域，以及使用该间隔件(44)作为离子注入掩模而将该杂质决定掺杂物离子注入到单晶硅衬底(24)中，以在该单晶硅衬底(24)中形成间隔开的装置区域(60，70)。然后形成电接触件(76)接触该等间隔开的装置区域(60，70)。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 上半 导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘体上半导体装置(20)的制造方法，该绝缘体上半导体装置具有单晶硅层(22)覆于单晶硅衬底(24)上，且该单晶硅层与该单晶硅衬底之间以电介质层(26)分隔，该方法包括下列步骤：沉积栅电极材料(39)覆于该单晶硅层(22)上；图案化该栅电极材料(39)以形成栅电极(40，42)和间隔件(44)；通过使用该栅电极(40，42)作为离子注入掩模而离子注入杂质决定掺杂物离子(54，64)至该单晶硅层(22)中，以于该单晶硅层中形成间隔开的源极(56，66)和漏极(58，68)区域；通过使用该间隔件(44)作为离子注入掩模而离子注入杂质决定掺杂物离子(54，56)至该单晶硅衬底(24)中，以于该单晶硅衬底(24)中形成间隔开的装置区域(60，70)；以及电接触(76)该等间隔开的装置区域(60，70)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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