[发明专利]具有图像传感器的半导体器件和这种器件的制造方法

摘要

本发明涉及具有半导体主体(12)的半导体器件，该半导体主体(12)具有包括二维矩阵像素(1)的图像传感器，每个二维矩阵像素都包括具有电荷聚积半导体区域(2A)且耦合到许多MOS场效应晶体(3)的辐射灵敏元件(2)，其中在半导体主体(12)中为了分隔邻近的像素(1)沉入了隔离区(4)，在它的下面形成具有增加掺杂浓度的另一半导体区域(5)。根据本说明，将另一半导体区域(5)沉入半导体主体(12)的表面中且比隔离区(4)宽。优选地隔离区(4)仅设置在辐射灵敏元件(2)邻接相邻像素(1)的MOS晶体管(3)的位置，并且在两个相邻像素(1)的辐射灵敏元件(2)彼此接界的位置设置具有增加掺杂浓度的又一凹陷的半导体区域(6)。这种器件(10)具有低的漏电流并具有大的辐射灵敏度和电荷存储容量。

主权项

1.一种半导体器件(10)，具有衬底(11)和半导体主体(12)，半导体主体(12)具有包括二维矩阵像素(1)的半导体图像传感器，为了获得通过选择像素的选择装置读取辐射灵敏元件(2)的好处，该二维矩阵像素每个都包括耦合到许多MOS场效应晶体管(3)的辐射灵敏元件(2)，其中每个辐射灵敏元件(2)包括第一导电类型的半导体区域(2A)，其中积聚了由入射辐射产生的电荷载流子并且其中在侧面邻接于半导体区域(2A)的半导体主体(12)的部分表面中，半导体主体(12)的部分(12A)是与第一导电类型相反的第二导电类型，为了隔离邻近的像素沉入了隔离区并且其中在隔离区(4)下面的第二导电类型的半导体主体(12)的部分(12A)中形成具有增加掺杂浓度的第二导电类型的另一半导体区域(5)，特征在于该另一半导体区域(5)沉入半导体主体(12)的表面中且比隔离区(4)宽。