[发明专利]以高效率转移应力之形成接触绝缘层之技术有效
| 申请号： | 200680014506.1 | 申请日： | 2006-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101167169A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | T·卡姆勒;A·魏;M·伦斯基 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过在形成金属硅化物之前移除用于形成高度复杂的横向掺质分布的外间隔体109，得到与习知工艺兼容的高度工艺兼容性，同时可使接触衬垫层(contact liner layer)115的位置更加接近沟道区，从而使得有高效率的应力转移机构可用来在沟道区中产生对应的应变(strain)。 | ||
| 搜索关键词： | 高效率 转移 应力 形成 接触 绝缘 技术 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包含下列步骤：形成包含栅极结构102的晶体管元件150，该栅极结构包含至少一个内间隔体元件107与一个外间隔体元件109；移除该外间隔体元件109；以及在该晶体管元件150上形成接触衬垫层115。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
