[发明专利]以高效率转移应力之形成接触绝缘层之技术

权利要求书

1.一种方法，包含下列步骤：

形成包含栅极结构102的晶体管元件150，该栅极结构包含至少一个内间隔体元件107与一个外间隔体元件109；

移除该外间隔体元件109；以及

在该晶体管元件150上形成接触衬垫层115。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成该晶体管元件的步骤包含：

在半导体区上形成栅极102；形成至少一个与该栅极102的侧壁相邻的该内间隔体元件107

形成蚀刻终止层110以分隔该至少一个内间隔体元件107与该外间隔体元件109；以及

使用该内间隔体元件与外间隔体元件作为注入掩模形成漏极/源极区111。

3.如权利要求1所述的方法，其中形成该接触衬垫层115的步骤包含：沉积介电材料并使用沉积参数在该接触衬垫层中实现预定的内应力。

4.如权利要求2所述的方法，还包含：在形成该接触衬垫层115之前在该栅极102及该漏极/源极区111上形成硅化物区，其中在形成该硅化物区之前移除该外间隔体元件109。

5.如权利要求4所述的方法，其中形成该外间隔体元件109的步骤包含：沉积该蚀刻终止层110、沉积间隔体材料层、各向异性蚀刻该间隔体材料层以形成该外间隔体元件109、以及使用该外间隔体元件109作为蚀刻掩模蚀刻该蚀刻终止层110。

6.如权利要求1所述的方法，还包含：在形成该内间隔体元件与外间隔体元件107，109之前形成与该栅极102的该侧壁相邻的偏移间隔体元件105。

7.如权利要求6所述的方法，还包含：在形成该内间隔体元件107之前形成衬垫108，该衬垫108在形成该内间隔体元件107的过程中充当蚀刻终止层。

8.一种方法，包含下列步骤：

形成具有第一栅极202结构的第一晶体管元件250，该第一栅极结构包含至少一个内间隔体元件207与外间隔体元件209；

形成具有第二栅极202结构的第二晶体管元件，该第二栅极结构包含至少一个内间隔体元件207与外间隔体元件209；

移除该第一与第二栅极结构的该外间隔体元件209；以及

在该第一晶体管元件250上形成具有第一内应力的第一接触

衬垫层215，以及在该第二晶体管元件260上形成具有第二内应力的第二接触衬垫层215A。

9.如权利要求8所述的方法，其中该第一与第二内应力不相同。

10.如权利要求8所述的方法，其中形成该第一与第二接触衬垫层的

步骤包含：在该第一与第二晶体管元件上沉积具有该第一内应力的接触衬垫层、以及选择性松弛形成于该第二晶体管元件上的该接触衬垫层以得到该第二内应力。

11.如权利要求8所述的方法，其中形成该第一与第二接触衬垫层的

步骤包含：在该第一与第二晶体管元件上沉积具有该第一内应力的接触衬垫层、选择性移除在该第二晶体管元件上的该接触衬垫层的一部分、以及在该第一与该第二晶体管元件上沉积另一具有该第二内应力的接触衬垫层。