[发明专利]基板处理装置和用于该基板处理装置的基板载置台无效
| 申请号： | 200680012967.5 | 申请日： | 2006-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101164156A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 村上诚志;生越启 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C23C16/46;H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种即使在实施预涂敷的情况下，也能够使其上的晶片的温度均匀的基座和具备该基座的基板处理装置。在基座(12)的晶片支撑面的中央部和周边部之间的中间部，形成有环状的凹部(12a)。通过设置凹部，在该中间部抑制因来自基座的热辐射而导致的基板加热效果。凹部的几何学的形状尺寸根据腔室内的压力而决定。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 用于 基板载置台 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，用于对基板进行热处理或一边加热基板一边进行规定的处理，包括：腔室；对所述腔室内进行减压的排气单元；在所述腔室内支撑基板的基板载置台；和通过所述基板载置台对基板进行加热的加热单元，所述基板载置台包括：在所述基板载置台的中央部形成的支撑所述基板的第一支撑面：在所述基板载置台的周边部形成的支撑所述基板的第二支撑面；和在所述第一支撑面和所述第二支撑面之间形成的凹部，在所述基板载置台上载置的所述基板与所述凹部的底面之间形成有间隙。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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