[发明专利]灰化设备、灰化方法及杂质掺入设备无效

专利信息
申请号: 200680010338.9 申请日: 2006-03-30
公开(公告)号: CN101151715A 公开(公告)日: 2008-03-26
发明(设计)人: 金成国;水野文二;佐佐木雄一朗 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065;H01L21/027;H01L21/22;H01L21/265
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 肖鹂
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种实现高产量的灰化设备和方法,其中抗蚀剂的表面硬化层和内部非硬化层之间的界面以及非硬化层和半导体基板之间的界面可以被探测,以及一种杂质掺入设备组。等离子体灰化形成在抗蚀剂上的表面硬化层和内部非硬化层的该灰化设备,该抗蚀剂作为掩模涂覆在半导体基板上并且掺有杂质,其特征在于包括偏振光椭圆计,用于在等离子体灰化时使线偏振光入射到半导体基板来探测该半导体基板反射的椭圆偏振光,来探测该硬化层和该非硬化层之间的界面以及该非硬化层和该半导体基板之间的界面。
搜索关键词: 灰化 设备 方法 杂质 掺入
【主权项】:
1.一种灰化设备,包括:用于去除通过将不同于在固体样品表面形成的抗蚀剂材料的材料引入该抗蚀剂材料中而形成的硬化层,以及该抗蚀剂材料内部的非硬化层的装置,通过使线偏振光入射到所述固体样品上来探测从所述固体样品反射的椭圆偏振光,并且探测所述硬化层和所述非硬化层之间的界面以及所述非硬化层和所述固体样品之间的界面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680010338.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top