[发明专利]高纯硅的制备方法无效
| 申请号： | 200680007443.7 | 申请日： | 2006-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101137578A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 伊藤信明;近藤次郎;冈泽健介;冈岛正树 | 申请（专利权）人： | 新日铁高新材料 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及制备大量价格低廉的用于太阳能电池的高纯硅的方法。公开了一种通过氧化从硅中除去硼来制备高纯硅的方法，所述方法包括在氧化剂与熔融硅间开始氧化反应，并且在所述反应期间冷却至少一部分所述氧化剂。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过氧化而从硅中除去硼来制备高纯硅的方法，其包括：在氧化剂与熔融硅间开始氧化反应，并且在所述氧化反应期间冷却至少一部分所述氧化剂。
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