[发明专利]高纯硅的制备方法

权利要求书

1.一种通过氧化而从硅中除去硼来制备高纯硅的方法，其包括：

在氧化剂与熔融硅间开始氧化反应，并且

在所述氧化反应期间冷却至少一部分所述氧化剂。

2.根据权利要求1所述的方法，其中放置所述氧化剂使其直接接触所述熔融硅。

3.根据权利要求2所述的方法，其还包括：

向所述氧化剂上吹冷却气体。

4.根据权利要求2所述的方法，其还包括：

在所述氧化剂上放置冷却材料，其中所述冷却材料的温度低于所述熔融硅的温度。

5.根据权利要求4所述的方法，其还包括：

向所述氧化剂和/或冷却材料上吹冷却气体。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述冷却材料包含选自下面材料中的至少一种作为主要组分：二氧化硅、氧化铝、氧化镁、锆氧化物和氧化钙。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述冷却通过在所述氧化剂上放置冷却材料来进行，其中所述冷却材料的温度低于所述熔融硅的温度。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述冷却材料包含选自下面材料中的至少一种作为主要组分：二氧化硅、氧化铝、氧化镁、锆氧化物和氧化钙。

9.根据权利要求7所述的方法，其还包括：

向所述氧化剂和/或所述冷却材料上吹冷却气体。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述冷却通过向至少一部分所述氧化剂上吹冷却气体来进行，其中所述冷却气体的温度低于所述氧化剂的温度。

11.一种通过氧化而从硅中除去硼来制备高纯硅的方法，其包括：

在熔融硅上放置绝热材料，

在所述绝热材料上放置氧化剂，并且

在所述氧化剂与所述熔融硅间开始氧化反应。

12.根据权利要求11所述的方法，其还包括：

向所述氧化剂和/或所述绝热材料上吹冷却气体。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述绝热材料包括多孔材料，其平均温度低于所述熔融硅的温度，并且其中所述氧化剂放置在所述多孔材料上方和/或所述多孔材料内部，以便抑制所述氧化剂的温度升高。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述氧化剂是包含选自下面材料中的至少一种作为主要组分的材料：碱金属碳酸盐、碱金属碳酸盐的水合物、碱金属氢氧化物、碱土金属碳酸盐、碱土金属碳酸盐的水合物和碱土金属氢氧化物。

15.根据权利要求11所述的方法，其中氧化剂是包含选自下面材料中的至少一种作为主要组分的材料：碱金属碳酸盐、碱金属碳酸盐的水合物、碱金属氢氧化物、碱土金属碳酸盐、碱土金属碳酸盐的水合物和碱土金属氢氧化物。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述氧化剂是包含选自下面材料中的至少一种作为主要组分的材料：碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢钠、碳酸氢钾、碳酸镁、碳酸钙、上述各种碳酸盐的水合物、氢氧化镁和氢氧化钙。

17.根据权利要求11所述的方法，其中所述氧化剂是包含选自下面材料中的至少一种作为主要组分的材料：碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢钠、碳酸氢钾、碳酸镁、碳酸钙、上述各种碳酸盐的水合物、氢氧化镁和氢氧化钙。