[发明专利]用于碳纳米管生长的装置和方法无效
| 申请号： | 200680004869.7 | 申请日： | 2006-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102264943A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 伯纳德·F·科尔;斯科特·V·约翰逊 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00;C23C16/26;C23C16/50;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 梁晓广;陆锦华 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种在基底(13)上生长高纵横比发射体(26)的装置。该装置包括限定腔室的外罩(10)，并包括连接至外罩且放置在腔室内、用于保持基底的基底保持器(12)，其中基底具有用于在其上生长高纵横比发射体(26)的表面。加热元件(17)放置于接近基底，并为选自碳、导电金属陶瓷和导电陶瓷中的至少一种材料。外罩限定出通入到腔室内的开口(15)，该开口用于接收进入到腔室内用来形成高纵横比发射体(26)的气体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纳米 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在基底上生长高纵横比发射体的装置，其包含：限定腔室的外罩；连接至外罩并放置在腔室内、用于保持基底的基底保持器，其中基底具有用于在其上生长高纵横比发射体的表面；放置在腔室内并接近基底的加热元件，其为选自碳、导电金属陶瓷和导电陶瓷中的至少一种材料；和其中所述外罩限定出通入到腔室内的开口，该开口用于接收进入到腔室内用来形成高纵横比发射体的气体。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
