[发明专利]硅气体注射器及其制造方法有效
申请号: | 200680004839.6 | 申请日: | 2006-02-13 |
公开(公告)号: | CN101321890A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 拉南·扎哈维;里斯·雷诺兹 | 申请(专利权)人: | 统合材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;F16K51/00;B32B37/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;陈红 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种可用于批式热处理炉(batch thermal treatment oven)中的气体注射器套管(40),其包含两个硅壳层(54、56),所述壳层利用由微致的硅粉与可固化的氧化硅形成剂(curable silica-forming agent)所形成的黏着剂而接合在一起,该黏着剂例如为经过超音波均质化的旋涂玻璃。该套管在其末端上可具有一气体出口(52),或可由硅盖件(86)所密封,且该套管在其侧边上具有侧面出口孔洞(84)。该硅注射器套管可与一硅塔(silicon tower)以及一硅衬垫结合使用,使得位于炉热区中的所有主体部分(bulk parts)是由硅所形成。 | ||
搜索关键词: | 气体 注射器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种硅气体注射器,包含:一注射器套管,其由包含实质纯硅的两个壳层所形成,所述壳层由一种由硅粉体与一种氧化硅形成剂所形成的黏着剂而接合在一起,并在所述壳层之间形成一第一中央孔。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的