[实用新型]双源双栅共漏功率器件

摘要

本实用新型公开了一种成本低、封装工艺简单、封装效率高、栅极电容小、开启速度快的双源双栅共漏功率器件。本实用新型包括硅衬底(1)、两个器件单元，每个所述器件单元的所述氧化层II(82)上表面的所述漏极金属II(2’)通过所述通孔II与所述漏极金属I(2)相连接并形成焊盘I，两个所述器件单元的所述焊盘I连接为一体，每个所述器件单元的所述氧化层II(82)上表面的所述源极金属II(3’)通过所述通孔II与所述源极金属I(3)相连接并形成一个焊盘II，每个所述器件单元的所述栅极金属II(4’)通过所述通孔II与所述栅极金属I(4)相连接并形成一个焊盘III。本实用新型可广泛应用于集成电路领域。

主权项

1、一种双源双栅共漏功率器件，包括硅衬底(1)、两个器件单元，每个所述器件单元包括形成于所述硅衬底(1)内的阱区(90)，形成于所述硅衬底(1)正面的氧化层I(81)，位于所述氧化层I(81)正面的漏极金属I(2)、源极金属I(3)、栅极金属I(4)，植入到所述硅衬底(1)中的阱接触区(50)、源区(52)、漏区(53)，连接所述源区(52)与所述漏区(53)之间的通道区(65)，生长于所述硅衬底(1)正面的栅氧化层I(60)、栅氧化层II(61)，位于所述栅氧化层I(60)、所述栅氧化层II(61)上的多晶硅栅极(7)，所述氧化层I(81)上有若干个通孔I，所述漏极金属I(2)、所述源极金属I(3)、所述栅极金属I(4)填充若干个所述通孔I并分别与所述漏区(53)、所述阱接触区(50)及所述源区(52)、所述多晶硅栅极(7)相连接，它还包括氧化层II(82)，位于所述氧化层II(82)正面的漏极金属II(2’)、源极金属II(3’)、栅极金属II(4’)，所述氧化层II(82)上有若干个通孔II，其特征在于：每个所述器件单元的所述氧化层II(82)上表面的所述漏极金属II(2’)通过所述通孔II与所述漏极金属I(2)相连接并形成焊盘I，两个所述器件单元的所述焊盘I连接为一体，每个所述器件单元的所述氧化层II(82)上表面的所述源极金属II(3’)通过所述通孔II与所述源极金属I(3)相连接并形成一个焊盘II，每个所述器件单元的所述栅极金属II(4’)通过所述通孔II与所述栅极金属I(4)相连接并形成一个焊盘III。