[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200610172858.1 | 申请日： | 2006-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN1991798A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 岩成俊一;五宝靖;加藤刚久 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G06F12/12 | 分类号： | G06F12/12;G11C7/10;G11C11/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体存储装置，包括：铁电存储器；SRAM 30；计数器41；CAM 10，其判断被请求从铁电存储器读出的数据块是否存储在SRAM 30中；存储控制单元51，如果判断结果为否定，则其执行控制以从铁电存储器读出所请求的数据块，并将读出的数据块的副本存储到与由计数器41所表示的计数值相对应的SRAM 30中的单元存储区域中；以及计数器控制单元52，其导致计数器41在每次判断结果为否定时更新计数值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，包括：铁电存储器，其包括在其中存储数据的多个单元存储区域；高速缓存存储器，其包括多个单元存储区域，其每一个存储了存储在铁电存储器的单元存储区域中的数据的副本，且其在数量上比包括在铁电存储器中的该多个单元存储区域少；计数器，其可操作用于表示与在高速缓存存储器中的该多个单元存储区域中的一个相对应的计数值；判断单元，其可操作用于判断被请求从铁电存储器的单元存储区域读出的数据块是否存储在高速缓存存储器的单元存储区域中，作为该数据块的副本；存储控制单元，其可操作用于，如果判断单元的判断结果为否定时，执行控制以从铁电存储器读出所请求的数据块，并将读出的数据块的副本存储在与由计数器表示的计数值相对应的高速缓存存储器中的单元存储区域中；以及计数器控制单元，其可操作用于导致每当判断单元的判断结果为否定时计数器更新计数值。
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