[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 200610167230.2 | 申请日： | 2006-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1983451A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 乃一修平 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陆弋;王诚华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 基准单元输出存储单元的数据读取电流的基准电流。在非易失性存储单元中存储根据该基准电流的修整数据。标准电流发生器输出根据该修整数据调节其电流量的标准电流。电流比较器将该标准电流与基准电流进行比较。基于所述电流比较器的比较结果，通过基准单元调节器来调节来自所述基准单元的基准电流的输出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储装置，包括：存储单元；基准单元，用于输出所述存储单元的数据读取电流的基准电流；非易失性存储单元，用于根据所述基准电流来存储修整数据；标准电流发生器，用于输出标准电流，其中电流量根据所述修整数据来进行调节；电流比较器，用于将所述标准电流与所述基准电流进行比较；和基准单元调节器，用于基于所述电流比较器的比较结果，来调节来自所述基准单元的基准电流的输出。
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