[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610166946.0 | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1983637A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 李相龙 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/822 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。根据实施例，半导体器件可以包括：栅绝缘层和栅电极，该栅绝缘层和该栅电极形成在具有隔离层的半导体衬底的上方；低密度结区，其形成在该栅电极的两侧；图案化的绝缘层，其在形成的同时露出该低密度结区的一部分；以及高密度结区，其形成在该半导体衬底的露出的低密度结区的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：栅绝缘层和栅电极，该栅绝缘层和该栅电极形成在具有隔离层的半导体衬底的上方；低密度结区，其形成在该栅电极的两侧；图案化的绝缘层，其形成在该低密度结区的一部分的上方；以及高密度结区，其形成在该半导体衬底的低密度结区的露出部分的下方。
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