[发明专利]栅控二极管非易失性存储器单元的操作方法

摘要

一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失性存储器单元，包含具有额外栅极端的二极管结构。实例的实施例包含独立的存储器单元、此类存储器单元的阵列、操作此存储器单元或存储器单元的阵列的方法及其制造方法。

主权项

1、一种操作非易失性存储器器件集成电路的方法，所述非易失性存储器器件包含：电荷储存结构，一个或多个储存介电结构，其至少一部分介于所述电荷储存结构与二极管结构之间，且至少一部分介于所述电荷储存结构与栅极电压源之间，所述二极管结构具有以结所分隔的第一节点及第二节点，所述方法包含：提供第一偏压安排以决定所述电荷储存结构的电荷储存状态，其中，所述二极管结构的所述第一节点及所述第二节点至少一部分与所述一个或多个储存介电结构相邻，且所述二极管结构具有所述第二节点的相对端以绝缘介电层与邻近器件分隔的剖面；以及测量流经反向偏压时所述二极管结构的电流，以决定所述电荷储存结构的所述电荷储存状态。