[发明专利]栅控二极管非易失性存储器单元阵列

摘要

一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失存储器单元，包含具有额外栅极端的二极管结构。示例性的实施例包含独立的存储器单元、这种存储器单元的阵列、运作该存储器单元或存储器单元的阵列的方法及其制造方法。

主权项

1、一种以电荷储存状态储存数据的非易失性存储器器件集成电路，包含：非易失性存储器储存器件阵列，所述阵列中的每一个非易失性存储器储存器件包含：电荷储存结构；一个或多个储存介电结构，其至少一部份在所述电荷储存结构与二极管结构之间，且至少一部份在所述电荷储存结构与栅极电压源之间；以及所述二极管结构，其具有以结分隔的第一节点、第二节点，所述第一节点、第二节点的至少一部份与所述一个或多个储存介电结构相邻，且所述二极管结构具有剖面，其中的所述第二节点具有相对端，所述相对端利用绝缘电介质与所述阵列中的相邻器件分隔。