[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
| 申请号： | 200610163747.4 | 申请日： | 2006-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1971843A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 寺田正一;水野刚资;上原健 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/316;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的基板处理方法，向在表面具有凹凸的基板供给涂敷液而在基板表面上形成涂敷膜，向旋转的基板供给涂敷液，在基板的表面上形成涂敷膜，对形成有涂敷膜的基板加热，调整涂敷膜的蚀刻条件。接着，对旋转的基板供给蚀刻液，对涂敷膜进行蚀刻后，对基板供给涂敷液，在基板表面上形成平坦状的涂敷膜。其后，对基板进行加热而使涂敷膜固化。由此，无需经过化学机械研磨那样的高负荷工艺，可实现均匀且高精度的涂敷膜的平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，相对于在表面具有凹凸的基板形成涂敷膜，其特征在于，包括以下工序：向表面具有凹凸的上述基板供给涂敷液，在上述基板的表面上形成涂敷膜的第一涂敷工序；对形成有上述涂敷膜的基板加热，调整上述涂敷膜的蚀刻条件的第一干燥工序；供给对形成在上述基板上的涂敷膜进行蚀刻的蚀刻液，对上述涂敷膜进行蚀刻的蚀刻工序；对上述基板供给涂敷液，在基板表面上形成平坦状的涂敷膜的第二涂敷工序；在上述第二涂敷工序后，对上述基板进行加热而使涂敷膜固化的第二干燥工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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