[发明专利]发光装置、发光装置的制造方法、及电子设备有效
| 申请号： | 200610163728.1 | 申请日： | 2006-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1979886A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 林建二;山内幸夫 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L21/82;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供能够防止阴极层的剥离或产生裂纹的发光装置、发光装置的制造方法、及电子设备，其中，发光装置(1)在基体(200)上具有：多个第一电极(23)；具有与第一电极(23)的形成位置对应的多个开口部(221a)的隔壁(221)；至少配置于开口部(221a)的有机功能层(60)；覆盖隔壁(221)及有机功能层(60)的第二电极(50)；覆盖第二电极(50)的第一无机层(52)；覆盖第一无机层(52)的第二无机层(54)；覆盖第二无机层(54)的有机缓冲层(210)；和覆盖有机缓冲层(210)的阻气层(30)。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种发光装置，其特征在于，在基体上具有：多个第一电极；具有与所述第一电极的形成位置对应的多个开口部的像素隔壁；至少配置于所述开口部的有机功能层；覆盖所述隔壁及所述有机功能层的第二电极；覆盖所述第二电极的第一无机层；覆盖所述第一无机层的第二无机层；覆盖所述第二无机层的有机缓冲层；和覆盖所述有机缓冲层的阻气层。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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