[发明专利]具有公共位线的非易失存储器件

摘要

提供了一种具有低触点电阻的NAND型非易失存储器件，及操作该器件的方法。该NAND型非易失存储器件包括：第一串与第二串，其每个的一端分别连接到公共位线与公共源线。第一串与第二串每个都具有串行连接的串选择晶体管、多个单位器件、以及源选择晶体管。字线分别连接到同一行的单位器件的控制栅极。第一串选择线与第二串选择线分别连接到第一串与第二串的串选择晶体管的栅极。第一源选择线与第二源选择线分别连接到第一串与第二串的源选择晶体管的栅极。

主权项

1.一种NAND型非易失存储器件，包括：第一串，其包括串行连接的串选择晶体管、多个单位器件、以及源选择晶体管，所述多个单位器件每个都具有控制栅极与存储节点，并且，所述串选择晶体管和源选择晶体管每个都具有栅极；第二串，其包括串行连接的串选择晶体管、多个单位器件、以及源选择晶体管，所述多个单位器件每个都具有控制栅极与存储节点，并且，所述串选择晶体管和源选择晶体管每个都具有栅极；多条字线，其分别连接到位于第一串与第二串的同一行的多个单位器件的控制栅极，并且穿过第一串与第二串；第一串选择线，其连接到第一串的串选择晶体管的栅极，并且穿过第一串；第二串选择线，其连接到第二串的串选择晶体管的栅极，并且穿过第二串；公共位线，其位于第一串的串选择晶体管与第二串的串选择晶体管的外侧，并且连接第一串与第二串每个的一端；第一源选择线，其连接到第二串的源选择晶体管的栅极，并且穿过第二串；第二源选择线，其连接到第一串的源选择晶体管的栅极，并且穿过第一串；以及公共源线，其位于第一串的源选择晶体管与第二串的源选择晶体管的外侧，并且连接第一串与第二串每个的另一端。