[发明专利]带有电流检测结构的半导体器件有效

专利信息
申请号: 200610162001.1 申请日: 2006-12-07
公开(公告)号: CN1979859A 公开(公告)日: 2007-06-13
发明(设计)人: 堀田幸司 申请(专利权)人: 丰田自动车株式会社
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人: 王安武
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种半导体器件,它设有主开关元件区域的主电极、传感器开关元件区域的传感器电极、以及形成于主电极与传感器电极之间的保护器件。当主电极与传感器电极之间产生预定电位差时,保护器件使主电极与传感器电极电连接。这种半导体器件可以处理超额的电压,例如传感器电极与栅极之间产生的ESD,同时还可以防止栅极驱动损耗增大。
搜索关键词: 带有 电流 检测 结构 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:半导体衬底,其中形成有多个开关元件,所述开关元件被分为至少两组;主电极,其连接到属于一组所述开关元件的那些开关元件,并将连接到参考电位;传感器电极,其连接到属于另一组所述开关元件的那些开关元件,并将通过电流检测器连接到所述参考电位;以及保护器件,其形成于所述主电极与所述传感器电极之间,其中,当所述主电极与所述传感器电极之间的电位差超过预定电压时,所述保护器件使所述主电极与所述传感器电极电连接。
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