[发明专利]形成四方氧化锆层的方法及制造具有该层的电容器的方法无效
| 申请号： | 200610161039.7 | 申请日： | 2006-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101050522A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 吉德信;宋翰相;廉胜振;朴基善;卢载盛;金珍赫 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/52;C23C16/513;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种在腔室中在衬底上形成氧化锆(ZrO2)层的方法，包括控制衬底的温度和重复原子层沉积(ALD)法的单元循环。单元循环包括：将锆(Zr)源供应到腔室中，使部分锆源吸附到衬底表面中；清洗残留在腔室内部的未吸附部分的锆源；供应反应气体，用于与吸附部分的锆源反应；清洗残留在腔室内部的未反应部分的反应气体和反应副产物，其中控制衬底的温度和反应气体的浓度，使得形成具有四方结构的ZrO2层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 四方 氧化锆 方法 制造 具有 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种在腔室中在衬底上形成ZrO2层的方法，包括；控制衬底的温度；和重复原子层沉积(ALD)法的单元循环，所述单元循环包括：将锆(Zr)源供应到腔室中，使部分锆源吸附至衬底表面中，清洗残留在腔室内部的部分锆源；供应反应气体，用于与吸附部分的锆源反应；和清洗残留在腔室内部的未反应部分的反应气体和反应副产物，其中控制衬底的温度和反应气体的浓度，使得形成具有四方结构的ZrO2层。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
